Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm

Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xu...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng: Research report
Ngôn ngữ:Vietnamese
Được phát hành: Trường Đại học Đà Lạt 2024
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự