Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xu...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Research report |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Trường Đại học Đà Lạt
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Hoàng Sỹ Đức.
Được phát hành: (2017) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Hoàng Sỹ Đức.
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế các transistor trường xuyên hầm với cấu trúc điện môi cực cổng dị chất
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành: (2021) -
Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế cấu trúc thân của transistor trường xuyên hầm đường : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Nguyễn Thị Hồng Hạnh.
Được phát hành: (2019) -
Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế cấu trúc thân của transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Nguyễn Thị Hồng Hạnh.
Được phát hành: (2019)