Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các vi mạch công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)] vì độ dốc dưới ngưỡng của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn 60 mV/decade. Để tính dòng xuyên hầm trong TFET, chúng tôi đã đề xu...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | Research report |
| 言語: | Vietnamese |
| 出版事項: |
Trường Đại học Đà Lạt
2024
|
| オンライン･アクセス: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3452 |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
このレコードへの初めてのコメントを付けませんか!