Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Doan, Minh Quang, Nguyen, Vu Nhan |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331006 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/147040 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Bỡi: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Được phát hành: (2023) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Bỡi: Adhikary, Sourav, et al.
Được phát hành: (2020) -
Lý thuyết lượng tử về sự hấp phụ phi tuyến sóng điện từ bởi biện tử giam cầm trong dây lượng tử hình trụ hố thế Parabolic bất đối xứng.
Bỡi: Lê, Thị Xuân Kiều
Được phát hành: (2015) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /