Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
Chứng minh tính đúng đắn của mẫu xuyên hầm hỗn hợp dựa trên nguyên lý đối xứng, cụ thể là đối xứng giữa các đường đặc tuyến dòng-thế của TFET loại n và p. Làm sáng tỏ sự phụ thuộc của bề dày thân linh kiện tối ưu vào EOT và hằng số điện môi của thân trong TFET lưỡng cổng. Cụ thể hơn, bề dày thân tối...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Bộ Giáo dục và Đào tạo
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/213689 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường
Bỡi: Hoàng, Sỹ Đức
Được phát hành: (2021) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Hoàng Sỹ Đức.
Được phát hành: (2017) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Hoàng Sỹ Đức.
Được phát hành: (2017) -
Bản chất của câu hỏi trong dạy học /
Bỡi: Lê Thanh Oai, TS.