Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
Chứng minh tính đúng đắn của mẫu xuyên hầm hỗn hợp dựa trên nguyên lý đối xứng, cụ thể là đối xứng giữa các đường đặc tuyến dòng-thế của TFET loại n và p. Làm sáng tỏ sự phụ thuộc của bề dày thân linh kiện tối ưu vào EOT và hằng số điện môi của thân trong TFET lưỡng cổng. Cụ thể hơn, bề dày thân tối...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Bộ Giáo dục và Đào tạo
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/213689 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | Chứng minh tính đúng đắn của mẫu xuyên hầm hỗn hợp dựa trên nguyên lý đối xứng, cụ thể là đối xứng giữa các đường đặc tuyến dòng-thế của TFET loại n và p. Làm sáng tỏ sự phụ thuộc của bề dày thân linh kiện tối ưu vào EOT và hằng số điện môi của thân trong TFET lưỡng cổng. Cụ thể hơn, bề dày thân tối ưu sẽ được biểu diễn trên đồ thị như là một hàm của EOT và hằng số điện môi của thân linh kiện. Khảo sát toàn diện ảnh hưởng của tỷ số EOT, chiều dài kênh và loại cấu trúc linh kiện đến tham số được thiết kế tối ưu của lớp HGD để đưa ra một phương pháp cô đọng cho việc thiết kế các HGD-TFET. Thiết kế tối ưu cho hốc pha tạp ngang trong TFET xuyên hầm đường sử dụng vật liệu vùng cấm nhỏ InGaAs. Ngoài ra, chúng tôi cũng sẽ chứng tỏ rằng có một giới hạn trên của chiều dài chồng phủ cổng-nguồn mà tại đó dòng mở đạt cực đại. Ảnh hưởng của cấu trúc lưỡng cổng và việc giảm kích thước điện môi tới hoạt động của linh kiện nhớ điện tĩnh (non-volatile memory) cấu trúc MOS. |
|---|