Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử

Những quyển sách tương tự

• Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2024)
• Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2023)
• Chế tạo màng epitaxy silic trên đế silic từ pha hơi
  Bỡi: Nguyễn, Quang Huân
  Được phát hành: (2011)
• STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2023)
• Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
  Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
  Được phát hành: (2024)