Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215207 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2024) -
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2024) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
Bỡi: Lương, Thị Kim Phượng
Được phát hành: (2024)