Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
Сохранить в:
| Формат: | Статья |
|---|---|
| Язык: | Vietnamese |
| Опубликовано: |
2024
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229938 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|