A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Low bandgap and line tunneling techniques have demonstrated the most effectiveness in enhancing the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examines the mechanisms and designs of channel-buried oxide and a laterally doped pocket for a very low bandgap line-TFET. Numerical T...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
Trường Đại học Đà Lạt
2024
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/256919 https://tckh.dlu.edu.vn/index.php/tckhdhdl/article/view/1313 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!