Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Owing to the breakthrough of the kT/q thermal limit of 60 mV/decade subthreshold swing at room temperature, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated their potential for energy-efficient applications. Based on the clarified physical properties of band-to-band tunneling, this study de...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | , , |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Việt Nam
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3309 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|