KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Código QR

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung
Formato:	Artículo
Lenguaje:	Vietnamese
Publicado:	2025
Materias:	Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Hồng Đức
Acceso en línea:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ejemplares similares

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
por: Tran, Thi Hai, et al.
Publicado: (2025)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
por: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Publicado: (2024)

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
por: Adhikary, Sourav, et al.
Publicado: (2020)

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
por: Nguyễn, Văn Mạnh, et al.
Publicado: (2025)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024)

Morphological organization in epitaxial growth and removal
por: Zhang, Zhenyu
Publicado: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Publicado: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
por: Zhang Zhenyu
Publicado: (1999)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
por: Leonard, Jason
Publicado: (2020)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
por: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicado: (2011)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2023)

Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
por: Đoàn, Thị Mỹ Trinh
Publicado: (2011)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
por: Danh, Đức
Publicado: (2011)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
por: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Publicado: (2023)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
por: Than, Hồng Phúc, et al.
Publicado: (2025)

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
por: Ichinokura, Satoru
Publicado: (2020)

The new GE :
por: Slater, Robert
Publicado: (1993)

VN GAAP & GAAS, convergence to international accounting and auditing principles /
por: Adams, Hugh.
Publicado: (2005)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
por: Lê, Thị Giang, et al.
Publicado: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
por: Lê, Thị Giang, et al.
Publicado: (2024)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
por: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicado: (2012)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
por: .

Khảo sát thành phần hóa học của quả cây chùm ngây Moringa Oleifera Lam., họ chùm ngây (Moringaceae)
por: Nguyễn, Thị Kim Phụng
Publicado: (2014)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
por: Lê, Thị Giang, et al.
Publicado: (2023)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
por: Doan, Minh Quang, et al.
Publicado: (2023)

Một số chỉ tiêu chất lượng trứng của sáu giống gà Đài Loan
por: Đỗ, Ngọc à, et al.
Publicado: (2024)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
por: Trần, Thị Bảo Giang
Publicado: (2023)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
por: Trần, Thị Bảo Giang
Publicado: (2024)

Khảo sát thành phần hóa học của thân non cây chùm ngây (MORINGA OLEIFERA. L), họ chùm ngây (MORINGACEAE)
por: Huỳnh, Trần Minh Tuyền
Publicado: (2014)

Xác định đột biến gen GAA và đặc điểm di truyền của bệnh Pompe
por: Nguyễn, Thị Phương Thảo, et al.
Publicado: (2024)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
por: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
por: Armando lencastre
Publicado: (1973)