KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Saved in:
Main Authors: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Vietnamese |
Published: |
2025
|
Subjects: | |
Online Access: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institutions: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Similar Items
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
by: Lương, Thị Kim Phượng
Published: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
by: Lương, Thị Kim Phượng
Published: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
by: Lương, Thị Kim Phượng
Published: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
by: Tran, Thi Hai, et al.
Published: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
by: Lương, Thị Kim Phượng
Published: (2024)