KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Mã QR

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Đã lưu trong:

Sonraí Bibleagrafaíochta
Những tác giả chính:	Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung
Formáid:	Bài viết
Teanga:	Vietnamese
Foilsithe:	2025
Ábhair:	Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Hồng Đức
Rochtain Ar Líne:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340
Clibeanna:	Cuir Clib Leis Gan Chlibeanna, Bí ar an gcéad duine leis an taifead seo a chlibeáil!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Míreanna Comhchosúla

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2024)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
le: Tran, Thi Hai, et al.
Foilsithe: (2025)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
le: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Foilsithe: (2024)

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
le: Adhikary, Sourav, et al.
Foilsithe: (2020)

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
le: Nguyễn, Văn Mạnh, et al.
Foilsithe: (2025)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2024)

Morphological organization in epitaxial growth and removal
le: Zhang, Zhenyu
Foilsithe: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Foilsithe: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
le: Zhang Zhenyu
Foilsithe: (1999)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
le: Leonard, Jason
Foilsithe: (2020)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2024)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
le: Nguyễn, Thanh Tùng
Foilsithe: (2011)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
le: Lương, Thị Kim Phượng
Foilsithe: (2023)

Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
le: Đoàn, Thị Mỹ Trinh
Foilsithe: (2011)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
le: Danh, Đức
Foilsithe: (2011)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
le: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Foilsithe: (2023)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
le: Than, Hồng Phúc, et al.
Foilsithe: (2025)

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
le: Ichinokura, Satoru
Foilsithe: (2020)

The new GE :
le: Slater, Robert
Foilsithe: (1993)

VN GAAP & GAAS, convergence to international accounting and auditing principles /
le: Adams, Hugh.
Foilsithe: (2005)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
le: Lê, Thị Giang, et al.
Foilsithe: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
le: Lê, Thị Giang, et al.
Foilsithe: (2024)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
le: Nguyễn, Văn Mạnh
Foilsithe: (2012)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
le: .

Khảo sát thành phần hóa học của quả cây chùm ngây Moringa Oleifera Lam., họ chùm ngây (Moringaceae)
le: Nguyễn, Thị Kim Phụng
Foilsithe: (2014)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
le: Lê, Thị Giang, et al.
Foilsithe: (2023)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
le: Doan, Minh Quang, et al.
Foilsithe: (2023)

Một số chỉ tiêu chất lượng trứng của sáu giống gà Đài Loan
le: Đỗ, Ngọc à, et al.
Foilsithe: (2024)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
le: Trần, Thị Bảo Giang
Foilsithe: (2023)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
le: Trần, Thị Bảo Giang
Foilsithe: (2024)

Khảo sát thành phần hóa học của thân non cây chùm ngây (MORINGA OLEIFERA. L), họ chùm ngây (MORINGACEAE)
le: Huỳnh, Trần Minh Tuyền
Foilsithe: (2014)

Xác định đột biến gen GAA và đặc điểm di truyền của bệnh Pompe
le: Nguyễn, Thị Phương Thảo, et al.
Foilsithe: (2024)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
le: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
le: Armando lencastre
Foilsithe: (1973)