KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Gardado en:
Những tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Formato: | Artigo |
Idioma: | Vietnamese |
Publicado: |
2025
|
Những chủ đề: | |
Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Títulos similares
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
por: Tran, Thi Hai, et al.
Publicado: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
por: Lương, Thị Kim Phượng
Publicado: (2024)