KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
שמור ב:
Những tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
פורמט: | Bài viết |
שפה: | Vietnamese |
יצא לאור: |
2025
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
פריטים דומים
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
מאת: Lương, Thị Kim Phượng
יצא לאור: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
מאת: Lương, Thị Kim Phượng
יצא לאור: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
מאת: Lương, Thị Kim Phượng
יצא לאור: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
מאת: Tran, Thi Hai, et al.
יצא לאור: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
מאת: Lương, Thị Kim Phượng
יצא לאור: (2024)