KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Shranjeno v:
Những tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Format: | Bài viết |
Jezik: | Vietnamese |
Izdano: |
2025
|
Teme: | |
Online dostop: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobne knjige/članki
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Izdano: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Izdano: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Izdano: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
od: Tran, Thi Hai, et al.
Izdano: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Izdano: (2024)