KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Sparad:
Huvudupphovsmän: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Materialtyp: | Artikel |
Språk: | Vietnamese |
Publicerad: |
2025
|
Ämnen: | |
Länkar: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Liknande verk
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
av: Lương, Thị Kim Phượng
Publicerad: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
av: Lương, Thị Kim Phượng
Publicerad: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
av: Lương, Thị Kim Phượng
Publicerad: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
av: Tran, Thi Hai, et al.
Publicerad: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
av: Lương, Thị Kim Phượng
Publicerad: (2024)