Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Trần, Bình Tịnh
Tác giả khác:	Trần, Tuấn
Định dạng:	Luận văn
Ngôn ngữ:	Vietnamese
Được phát hành:	Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM 2011
Những chủ đề:	Vật lý ứng dụng
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5094
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

id	oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-5094
record_format	dspace
spelling	oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-50942011-06-01T02:43:00Z Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD Trần, Bình Tịnh Trần, Tuấn Đặng, Mậu Chiến Vật lý ứng dụng 2011-06-01T02:43:00Z 2011-06-01T02:43:00Z 2007 Thesis https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5094 vi text/html application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/image Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
institution	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
collection	Thư viện số
language	Vietnamese
topic	Vật lý ứng dụng
spellingShingle	Vật lý ứng dụng Trần, Bình Tịnh Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
author2	Trần, Tuấn
author_facet	Trần, Tuấn Trần, Bình Tịnh
format	Thesis
author	Trần, Bình Tịnh
author_sort	Trần, Bình Tịnh
title	Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
title_short	Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
title_full	Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
title_fullStr	Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
title_full_unstemmed	Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
title_sort	nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử ingan/gan trong điôt phát sáng (led) chế tạo bằng phương pháp mocvd
publisher	Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
publishDate	2011
url	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5094
_version_	1819769990020071424

Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD

Những quyển sách tương tự