Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Trần, Bình Tịnh |
---|---|
Tác giả khác: | Trần, Tuấn |
Định dạng: | Luận văn |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5094 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
Bỡi: Thi, Tran Anh Tuan
Được phát hành: (2015) -
Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN
Bỡi: Dương, Đình Phước, et al.
Được phát hành: (2023) -
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
Bỡi: Tiêu, Tín Nguyên
Được phát hành: (2017) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2019)