Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Tác giả khác: | Trương, Kim Hiếu |
Định dạng: | Luận văn |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
Bỡi: Danh, Đức
Được phát hành: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
Bỡi: Nguyễn, Thanh Tùng
Được phát hành: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Bỡi: Adhikary, Sourav, et al.
Được phát hành: (2020) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /