Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Kaydedildi:
Yazar: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Diğer Yazarlar: | Trương, Kim Hiếu |
Materyal Türü: | Tez |
Dil: | Vietnamese |
Baskı/Yayın Bilgisi: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Konular: | |
Online Erişim: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Benzer Materyaller
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
Yazar:: Danh, Đức
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
Yazar:: Nguyễn, Thanh Tùng
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Yazar:: Adhikary, Sourav, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Yazar:: Leonard, Jason
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020)