Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Uloženo v:
Hlavní autor: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Další autoři: | Trương, Kim Hiếu |
Médium: | Diplomová práce |
Jazyk: | Vietnamese |
Vydáno: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Témata: | |
On-line přístup: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobné jednotky
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
Autor: Danh, Đức
Vydáno: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
Autor: Nguyễn, Thanh Tùng
Vydáno: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Autor: Adhikary, Sourav, a další
Vydáno: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Autor: Leonard, Jason
Vydáno: (2020)