Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Đã lưu trong:
主要作者: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
其他作者: | Trương, Kim Hiếu |
格式: | Luận văn |
语言: | Vietnamese |
出版: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
主题: | |
在线阅读: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
相似书籍
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
由: Danh, Đức
出版: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
由: Nguyễn, Thanh Tùng
出版: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
由: Adhikary, Sourav, et al.
出版: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
由: Leonard, Jason
出版: (2020)