Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Luận văn |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Trường Đại học Đà Lạt
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61523 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor
(TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích
hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động
chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp
cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả để nâng cao
đặc tính hoạt động của TFET. Luận văn này nghiên cứu chi tiết vai
trò của việc giảm bề dày lớp ô-xít cực cổng khi thu nhỏ kích thước
của tranzito trường xuyên hầm có cấu trúc khối và cấu trúc thân
mỏng. Đặc biệt, chúng tôi nghiên cứu một đặc tính mới về sự ảnh
hưởng của biên dạng tạp chất cực nguồn đến đặc tính hoạt động của
các TFET đơn cổng và TFET lưỡng cổng sử dụng vật liệu Ge phụ
thuộc vào bề dày ô-xít tương đương (EOT). Phương pháp mô phỏng
hai chiều dựa trên phần mềm MEDICI được sử dụng để đưa ra đặc
tính điện của các linh kiện TFET. |
|---|