Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | Vietnamese |
| منشور في: |
Trường Đại học Đà Lạt
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61523 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
كن أول من يترك تعليقا!