Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Đỗ, Mười, Đặng, Thị Mỹ H, Nguyễn, Thị Khánh Duyên, Nguyễn, Thị Bảo Lộc |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2019
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/71655 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2024) -
Power GaN Devices
Bỡi: Meneghini, Matteo, et al.
Được phát hành: (2020) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Bỡi: Đặng, Hồng Cám
Được phát hành: (2012) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Bỡi: Nguyen, Linh Chi, et al.
Được phát hành: (2023) -
Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
Bỡi: Trần, Bình Tịnh
Được phát hành: (2011)