Khảo sát tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của Penta SiC₂ Nanoribbons biến dạng đơn trục : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Penta silicon dicarbide (penta SiC₂), một vật liệu cấu trúc ngũ giác bao gồm các nguyên tử carbon và silicon được xác định là ổn định và thể hiện các tính chất điện tử mới có thể dẫn đến nhiều ứng dụng tiềm năng trong các thiết bị điện t...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2020
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Tóm tắt: | Penta silicon dicarbide (penta SiC₂), một vật liệu cấu trúc ngũ giác bao gồm các nguyên tử carbon và silicon được xác định là ổn định và thể hiện các tính chất điện tử mới có thể dẫn đến nhiều ứng dụng tiềm năng trong các thiết bị điện tử. Trong luận văn này, chúng tôi nghiên cứu đặc tính điện tử và sự vận chuyển điện tử của penta silicon dicarbide nanoribbon biên răng cưa (SiC₂-SSPNR) dưới biến dạng đơn trục trong phạm vi từ độ nén 10 % đến độ giãn 10% bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) kết hợp với hàm Green không cân bằng. Trong phạm vi biến dạng này, các cấu trúc đều có tính ổn định cao, các nguyên tử vẫn giữ nguyên cấu trúc mạng ngũ giác nhưng độ dài liên kết có sự thay đổi. |
---|