Khảo sát tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của Penta SiC₂ Nanoribbons biến dạng đơn trục : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Penta silicon dicarbide (penta SiC₂), một vật liệu cấu trúc ngũ giác bao gồm các nguyên tử carbon và silicon được xác định là ổn định và thể hiện các tính chất điện tử mới có thể dẫn đến nhiều ứng dụng tiềm năng trong các thiết bị điện t...

Disgrifiad llawn

Wedi'i Gadw mewn:
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Nguyễn, Thanh Tùng
Fformat: Llyfr
Iaith:Undetermined
Cyhoeddwyd: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2020
Pynciau:
Tagiau: Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 02004nam a2200229Ia 4500
001 CTU_237795
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b T513 
088 |a 8440103 
100 |a Nguyễn, Thanh Tùng 
245 0 |a Khảo sát tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của Penta SiC₂ Nanoribbons biến dạng đơn trục : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành vật lý lý thuyết và Vật lý toán 
245 0 |c Nguyễn Thanh Tùng ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2020 
520 |a Penta silicon dicarbide (penta SiC₂), một vật liệu cấu trúc ngũ giác bao gồm các nguyên tử carbon và silicon được xác định là ổn định và thể hiện các tính chất điện tử mới có thể dẫn đến nhiều ứng dụng tiềm năng trong các thiết bị điện tử. Trong luận văn này, chúng tôi nghiên cứu đặc tính điện tử và sự vận chuyển điện tử của penta silicon dicarbide nanoribbon biên răng cưa (SiC₂-SSPNR) dưới biến dạng đơn trục trong phạm vi từ độ nén 10 % đến độ giãn 10% bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) kết hợp với hàm Green không cân bằng. Trong phạm vi biến dạng này, các cấu trúc đều có tính ổn định cao, các nguyên tử vẫn giữ nguyên cấu trúc mạng ngũ giác nhưng độ dài liên kết có sự thay đổi. 
650 |a Membranes (Technology),Màng (Công nghệ) 
904 |i Hải 
910 |c tvtrong 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ