Khảo sát tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của Penta SiC₂ Nanoribbons biến dạng đơn trục : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Penta silicon dicarbide (penta SiC₂), một vật liệu cấu trúc ngũ giác bao gồm các nguyên tử carbon và silicon được xác định là ổn định và thể hiện các tính chất điện tử mới có thể dẫn đến nhiều ứng dụng tiềm năng trong các thiết bị điện t...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Nguyễn, Thanh Tùng |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | Undetermined |
| Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2020
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documents similaires
-
Khảo sát tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của penta – SiC₂ nanoribbon :
par: Hồ, Thị Mỵ
Publié: (2020) -
Tính chất vận chuyển điện tử của Penta-Graphene Nanoribbons biến dạng đơn trục :
par: Lê, Nhật Thanh
Publié: (2019) -
Từ tính và sự vận chuyển điện tử của Penta-Graphene Nanoribbons :
par: Nguyễn, Thanh Tuấn
Publié: (2019) -
Nghiên cứu hiện tượng hấp phụ phân tử khí trên Penta-Graphene Nanoribbon :
par: Lê, Võ Phương Thuận
Publié: (2019) -
Nghiên cứu hiện tượng hấp phụ các phân tử trên biên penta graphene nanoribbons :
par: Nguyễn, Thị Pha
Publié: (2020)