Amorphization of silicon by 250 keV electron irradiation and hydrogen annealing /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Jo, Jung-Yol.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00827nam a2200277 4500
001 DLU090078985
005 ##20090619
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a KR 
100 # # |a Jo, Jung-Yol.  
245 # # |a Amorphization of silicon by 250 keV electron irradiation and hydrogen annealing /  |c Jung-Yol Jo. 
653 # # |a Electron irradiation 
653 # # |a Hydrogen annealing 
653 # # |a Optical transmission 
653 # # |a Silicon defects 
773 # # |t Electrophysics and Applications  |g Vol. 5-C, no. 1 (2005), p. 23-27  
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt