Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Сохранить в:
| Главный автор: | . |
|---|---|
| Другие авторы: | Lê Văn Vinh., Lại Khắc Hoàng., Nguyễn Thu Nhàn., Nguyễn Văn Hồng. |
| Формат: | Статья |
| Язык: | Vietnamese |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Схожие документы
-
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
по: Lee, Jae Jin. -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
по: Nguyen, Linh Chi, et al.
Опубликовано: (2023) -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
по: Tran, Van Tan
Опубликовано: (2013) - Thực hành kiểm tra chất lượng XN
-
Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
по: Vũ Ngọc Tước.