Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Đã lưu trong:
| 主要作者: | . |
|---|---|
| 其他作者: | Lê Văn Vinh., Lại Khắc Hoàng., Nguyễn Thu Nhàn., Nguyễn Văn Hồng. |
| 格式: | Bài viết |
| 语言: | Vietnamese |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
相似书籍
-
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
由: Lee, Jae Jin. -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
由: Nguyen, Linh Chi, et al.
出版: (2023) - Thực hành kiểm tra chất lượng XN
-
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
由: Tran, Van Tan
出版: (2013) -
Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
由: Vũ Ngọc Tước.