Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | . |
---|---|
Tác giả khác: | Lê Văn Vinh., Lại Khắc Hoàng., Nguyễn Thu Nhàn., Nguyễn Văn Hồng. |
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
Bỡi: Lee, Jae Jin. -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Bỡi: Nguyen, Linh Chi, et al.
Được phát hành: (2023) -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
Bỡi: Tran, Van Tan
Được phát hành: (2013) - Thực hành kiểm tra chất lượng XN
-
Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
Bỡi: Vũ Ngọc Tước.