Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | . |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | Lê Văn Vinh., Lại Khắc Hoàng., Nguyễn Thu Nhàn., Nguyễn Văn Hồng. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Vietnamese |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ähnliche Einträge
-
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
von: Lee, Jae Jin. -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
von: Nguyen, Linh Chi, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
von: Tran, Van Tan
Veröffentlicht: (2013) - Thực hành kiểm tra chất lượng XN
-
Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
von: Vũ Ngọc Tước.