The dependence of an acoustomagnetoelectric field on the temperature in a cylindrical quantum wire AlGaAs/GaAs
Enregistré dans:
| Langue: | vie |
|---|---|
| Accès en ligne: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=8448 |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Documents similaires
-
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
par: Doan, The Ngo Vinh, et autres
Publié: (2023) -
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
par: Than, Hong Phuc, et autres
Publié: (2021) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
par: Tran, Thi Hai, et autres
Publié: (2025) -
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
par: Adhikary, Sourav, et autres
Publié: (2020) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /