Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , |
|---|---|
| Médium: | Conference paper |
| Jazyk: | Vietnamese |
| Vydáno: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|