Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường
Cấu trúc xuyên hầm đường (line-tunneling) đã được áp dụng hiệu quả để tăng dòng điện dẫn cho các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm [tunnel field-effect transistor (TFET)]. Dựa trên mô phỏng hai chiều, nghiên cứu này chỉ ra rằng có những giới hạn của các tham số kích thước linh kiện cơ bản, gồm bề...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| 格式: | Conference paper |
| 语言: | Vietnamese |
| 出版: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3317 |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|