Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả...
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | |
|---|---|
| Andere auteurs: | |
| Formaat: | Thesis |
| Taal: | Vietnamese |
| Gepubliceerd in: |
Trường Đại học Đà Lạt
2018
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/61531 |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|