A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Quantum confinement effects (QCEs) are significant in tunnel field-effect transistors (TFETs) since their operation is based on the mechanism of band-to-band tunneling. This study presents a simple approach for integrating QCEs into the semiclassical TCAD simulations of TFETs. The approach was based...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Springer Nature
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3628 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|