A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Quantum confinement effects (QCEs) are significant in tunnel field-effect transistors (TFETs) since their operation is based on the mechanism of band-to-band tunneling. This study presents a simple approach for integrating QCEs into the semiclassical TCAD simulations of TFETs. The approach was based...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Springer Nature
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3628 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023) -
A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)