RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyen, Linh Chi, Pham, Van Hai, Luc, Huy Hoang |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=301313 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/116672 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
Bỡi: Lee, Jae Jin. -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Bỡi: Nguyễn, Văn Mạnh
Được phát hành: (2012) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của mật độ lên cấu trúc và ứng xử cơ tính của vật liệu gốm (AlN)0.9(Si3N4)0.1 = Density effects on microstructures and mechanical behavior of (AlN)0.9(Si3N4)0.1 ceramic
Bỡi: Nguyễn, Thị Thảo, et al.
Được phát hành: (2023) -
Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Bỡi: .