Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Doan, The Ngo Vinh, Nguyen, Thanh Cong |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=309258 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/130610 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
- Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
- Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Bỡi: Adhikary, Sourav, et al.
Được phát hành: (2020) -
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp :
Bỡi: Đặng, Minh Thứ
Được phát hành: (2013) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Bỡi: Leonard, Jason
Được phát hành: (2020)