NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA DIỆN TÍCH BỀ MẶT DẪN ĐIỆN VÀ CÁC LỖI XẾP CHỒNG ĐẾN ĐẶC TÍNH CỦA ĐIỐT PiN 4H-SIC = ELECTRICAL IMPACT CHARACTERIZATION OF ANODE ACTIVE AREA AND STACKING-FAULTS IN 6.5 KV 4H-SIC PIN DIODES
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Mạnh Quân, Cài, đặtNguyễn Duy Minh |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=301138 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/140137 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu ảnh hưởng của diện tích bề mặt dẫn điện và các lỗi xếp chồng đến đặc tính của điốt PiN 4H-SIC = Electrical impact characterization of anode active area and stacking-faults in 6.5kV 4H-SIC pin diodes
Bỡi: Nguyễn, Duy Minh, et al.
Được phát hành: (2023) -
Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /
Bỡi: Gil, Tae-Hyun. -
Giải pháp tiềm năng trong phân tích phức tạp cho một MOSFET 4H-SiC trong kích thước nano
Được phát hành: (2024) -
Japan's emergency economic policy in combating oil crises and infrationary [sic] forces
Được phát hành: (1974) -
Japan's emergency economic policy in combating oil crises and infrationary [sic] forces
Được phát hành: (1974)