Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Van, Trung Pham, Thi, Nhai Vu, Xuan, Bao Nguyen |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=351181 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/185115 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
Bỡi: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, et al.
Được phát hành: (2023) -
On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
Bỡi: Wang, Huaiyu. -
Kết quả điều trị tổn thương móng vảy nến bằng methotrexat tiêm tại mầm móng
Bỡi: Nguyễn, Hữu Quang, et al.
Được phát hành: (2024) -
Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
Bỡi: Nguyễn, Văn Nhật
Được phát hành: (2013) -
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
Bỡi: Lambrechts, Wynand, et al.
Được phát hành: (2020)