KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Codi QR

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autors principals:	Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung
Format:	Article
Idioma:	Vietnamese
Publicat:	2025
Matèries:	Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Hồng Đức
Accés en línia:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
per: Tran, Thi Hai, et al.
Publicat: (2025)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
per: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Publicat: (2024)

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
per: Adhikary, Sourav, et al.
Publicat: (2020)

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
per: Nguyễn, Văn Mạnh, et al.
Publicat: (2025)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

Morphological organization in epitaxial growth and removal
per: Zhang, Zhenyu
Publicat: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Publicat: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
per: Zhang Zhenyu
Publicat: (1999)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
per: Leonard, Jason
Publicat: (2020)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
per: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicat: (2011)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
per: Đoàn, Thị Mỹ Trinh
Publicat: (2011)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
per: Danh, Đức
Publicat: (2011)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
per: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Publicat: (2023)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
per: Than, Hồng Phúc, et al.
Publicat: (2025)

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
per: Ichinokura, Satoru
Publicat: (2020)

The new GE :
per: Slater, Robert
Publicat: (1993)

VN GAAP & GAAS, convergence to international accounting and auditing principles /
per: Adams, Hugh.
Publicat: (2005)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2024)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
per: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicat: (2012)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
per: .

Khảo sát thành phần hóa học của quả cây chùm ngây Moringa Oleifera Lam., họ chùm ngây (Moringaceae)
per: Nguyễn, Thị Kim Phụng
Publicat: (2014)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
per: Doan, Minh Quang, et al.
Publicat: (2023)

Một số chỉ tiêu chất lượng trứng của sáu giống gà Đài Loan
per: Đỗ, Ngọc à, et al.
Publicat: (2024)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
per: Trần, Thị Bảo Giang
Publicat: (2023)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
per: Trần, Thị Bảo Giang
Publicat: (2024)

Khảo sát thành phần hóa học của thân non cây chùm ngây (MORINGA OLEIFERA. L), họ chùm ngây (MORINGACEAE)
per: Huỳnh, Trần Minh Tuyền
Publicat: (2014)

Xác định đột biến gen GAA và đặc điểm di truyền của bệnh Pompe
per: Nguyễn, Thị Phương Thảo, et al.
Publicat: (2024)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
per: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
per: Armando lencastre
Publicat: (1973)