KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Gorde:
Egile Nagusiak: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Formatua: | Artikulua |
Hizkuntza: | Vietnamese |
Argitaratua: |
2025
|
Gaiak: | |
Sarrera elektronikoa: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Antzeko izenburuak
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
nork: Lương, Thị Kim Phượng
Argitaratua: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
nork: Lương, Thị Kim Phượng
Argitaratua: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
nork: Lương, Thị Kim Phượng
Argitaratua: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
nork: Tran, Thi Hai, et al.
Argitaratua: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
nork: Lương, Thị Kim Phượng
Argitaratua: (2024)