KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

QR-koodi

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Tallennettuna:

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung
Aineistotyyppi:	Artikkeli
Kieli:	Vietnamese
Julkaistu:	2025
Aiheet:	Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Hồng Đức
Linkit:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Samankaltaisia teoksia

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2024)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
Tekijä: Tran, Thi Hai, et al.
Julkaistu: (2025)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
Tekijä: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Julkaistu: (2024)

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
Tekijä: Adhikary, Sourav, et al.
Julkaistu: (2020)

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
Tekijä: Nguyễn, Văn Mạnh, et al.
Julkaistu: (2025)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2024)

Morphological organization in epitaxial growth and removal
Tekijä: Zhang, Zhenyu
Julkaistu: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Julkaistu: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
Tekijä: Zhang Zhenyu
Julkaistu: (1999)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
Tekijä: Leonard, Jason
Julkaistu: (2020)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2024)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
Tekijä: Nguyễn, Thanh Tùng
Julkaistu: (2011)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng
Julkaistu: (2023)

Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Tekijä: Đoàn, Thị Mỹ Trinh
Julkaistu: (2011)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
Tekijä: Danh, Đức
Julkaistu: (2011)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Tekijä: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Julkaistu: (2023)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
Tekijä: Than, Hồng Phúc, et al.
Julkaistu: (2025)

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
Tekijä: Ichinokura, Satoru
Julkaistu: (2020)

The new GE :
Tekijä: Slater, Robert
Julkaistu: (1993)

VN GAAP & GAAS, convergence to international accounting and auditing principles /
Tekijä: Adams, Hugh.
Julkaistu: (2005)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
Tekijä: Lê, Thị Giang, et al.
Julkaistu: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
Tekijä: Lê, Thị Giang, et al.
Julkaistu: (2024)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Tekijä: Nguyễn, Văn Mạnh
Julkaistu: (2012)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
Tekijä: .

Khảo sát thành phần hóa học của quả cây chùm ngây Moringa Oleifera Lam., họ chùm ngây (Moringaceae)
Tekijä: Nguyễn, Thị Kim Phụng
Julkaistu: (2014)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
Tekijä: Lê, Thị Giang, et al.
Julkaistu: (2023)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
Tekijä: Doan, Minh Quang, et al.
Julkaistu: (2023)

Một số chỉ tiêu chất lượng trứng của sáu giống gà Đài Loan
Tekijä: Đỗ, Ngọc à, et al.
Julkaistu: (2024)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
Tekijä: Trần, Thị Bảo Giang
Julkaistu: (2023)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
Tekijä: Trần, Thị Bảo Giang
Julkaistu: (2024)

Khảo sát thành phần hóa học của thân non cây chùm ngây (MORINGA OLEIFERA. L), họ chùm ngây (MORINGACEAE)
Tekijä: Huỳnh, Trần Minh Tuyền
Julkaistu: (2014)

Xác định đột biến gen GAA và đặc điểm di truyền của bệnh Pompe
Tekijä: Nguyễn, Thị Phương Thảo, et al.
Julkaistu: (2024)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
Tekijä: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
Tekijä: Armando lencastre
Julkaistu: (1973)