KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

QR Code

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung
Format:	Article
Langue:	Vietnamese
Publié:	2025
Sujets:	Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Hồng Đức
Accès en ligne:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Documents similaires

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2024)

CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
par: Tran, Thi Hai, et autres
Publié: (2025)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
par: Nguyen, Thi Le Thi, et autres
Publié: (2024)

Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
par: Adhikary, Sourav, et autres
Publié: (2020)

TỔNG HỢP DÂY NANO Ga2O3/GaAs (100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP HƠI LỎNG RẮN SỬ DỤNG XÚC TÁC HẠT NANO Ag
par: Nguyễn, Văn Mạnh, et autres
Publié: (2025)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2024)

Morphological organization in epitaxial growth and removal
par: Zhang, Zhenyu
Publié: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Publié: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
par: Zhang Zhenyu
Publié: (1999)

Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
par: Leonard, Jason
Publié: (2020)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2024)

Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
par: Nguyễn, Thanh Tùng
Publié: (2011)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023)

Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
par: Đoàn, Thị Mỹ Trinh
Publié: (2011)

Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
par: Danh, Đức
Publié: (2011)

Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
par: Doan, The Ngo Vinh, et autres
Publié: (2023)

Giant efficiency enhancement of GaAs solar cells with graded antireflection layers based on syringelike ZnO nanorod arrays /

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
par: Than, Hồng Phúc, et autres
Publié: (2025)

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
par: Ichinokura, Satoru
Publié: (2020)

The new GE :
par: Slater, Robert
Publié: (1993)

VN GAAP & GAAS, convergence to international accounting and auditing principles /
par: Adams, Hugh.
Publié: (2005)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
par: Lê, Thị Giang, et autres
Publié: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
par: Lê, Thị Giang, et autres
Publié: (2024)

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
par: Nguyễn, Văn Mạnh
Publié: (2012)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
par: .

Khảo sát thành phần hóa học của quả cây chùm ngây Moringa Oleifera Lam., họ chùm ngây (Moringaceae)
par: Nguyễn, Thị Kim Phụng
Publié: (2014)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
par: Lê, Thị Giang, et autres
Publié: (2023)

Nghiên cứu về hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong hồ lượng tử bán parabol bất đối xứng GaAs/AIGaAs
par: Doan, Minh Quang, et autres
Publié: (2023)

Một số chỉ tiêu chất lượng trứng của sáu giống gà Đài Loan
par: Đỗ, Ngọc à, et autres
Publié: (2024)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
par: Trần, Thị Bảo Giang
Publié: (2023)

Khảo sát yếu tố hậu hiện đại trong chùm truyện ngắn cực hạn của Raymond Carver
par: Trần, Thị Bảo Giang
Publié: (2024)

Khảo sát thành phần hóa học của thân non cây chùm ngây (MORINGA OLEIFERA. L), họ chùm ngây (MORINGACEAE)
par: Huỳnh, Trần Minh Tuyền
Publié: (2014)

Xác định đột biến gen GAA và đặc điểm di truyền của bệnh Pompe
par: Nguyễn, Thị Phương Thảo, et autres
Publié: (2024)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
par: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
par: Armando lencastre
Publié: (1973)