KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
保存先:
主要な著者: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
フォーマット: | 論文 |
言語: | Vietnamese |
出版事項: |
2025
|
主題: | |
オンライン・アクセス: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
類似資料
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
著者:: Tran, Thi Hai, 等
出版事項: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)