KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Bewaard in:
Hoofdauteurs: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Formaat: | Artikel |
Taal: | Vietnamese |
Gepubliceerd in: |
2025
|
Onderwerpen: | |
Online toegang: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Gelijkaardige items
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
door: Lương, Thị Kim Phượng
Gepubliceerd in: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
door: Lương, Thị Kim Phượng
Gepubliceerd in: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
door: Lương, Thị Kim Phượng
Gepubliceerd in: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
door: Tran, Thi Hai, et al.
Gepubliceerd in: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
door: Lương, Thị Kim Phượng
Gepubliceerd in: (2024)