KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Zapisane w:
Główni autorzy: | Lương, Thị Kim Phượng, Mohammad, Arir, Lê, Thị Giang, Trịnh, Thị Huyền, Nguyễn, Thị Dung |
---|---|
Format: | Artykuł |
Język: | Vietnamese |
Wydane: |
2025
|
Hasła przedmiotowe: | |
Dostęp online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/261340 |
Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobne zapisy
-
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024) -
CALCULATION OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING- LIMITED ELECTRON MOBILITIES AT LOW TEMPERATURES IN GaAs AND InAs QUANTUM WELLS
od: Tran, Thi Hai, i wsp.
Wydane: (2025) -
Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)