Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Trương, Kim Hiếu |
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | Vietnamese |
منشور في: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
بواسطة: Danh, Đức
منشور في: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
بواسطة: Nguyễn, Thanh Tùng
منشور في: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
بواسطة: Adhikary, Sourav, وآخرون
منشور في: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
بواسطة: Leonard, Jason
منشور في: (2020)