Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Guardat en:
Autor principal: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Altres autors: | Trương, Kim Hiếu |
Format: | Thesis |
Idioma: | Vietnamese |
Publicat: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Matèries: | |
Accés en línia: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Ítems similars
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
per: Danh, Đức
Publicat: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
per: Nguyễn, Thanh Tùng
Publicat: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
per: Adhikary, Sourav, et al.
Publicat: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
per: Leonard, Jason
Publicat: (2020)