Thử khảo sát trạng thái bề mặt của GaAs bằng phương pháp quang - phản xạ qua chu trình Bardeen thay đổi nhiệt độ và xử lý hóa
Wedi'i Gadw mewn:
Prif Awdur: | Đoàn, Thị Mỹ Trinh |
---|---|
Awduron Eraill: | Trương, Kim Hiếu |
Fformat: | Luận văn |
Iaith: | Vietnamese |
Cyhoeddwyd: |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - ĐHQG TP.HCM
2011
|
Pynciau: | |
Mynediad Ar-lein: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/5156 |
Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Eitemau Tebyg
-
Nâng cấp hệ đo quang- phản xạ xác định trạng thái bề mặt GaAs
gan: Danh, Đức
Cyhoeddwyd: (2011) -
Khảo sát sự phụ thuộc nhiệt độ và tần số biến điệu của phổ quang - phản xạ (PR) ở GaAs
gan: Nguyễn, Thanh Tùng
Cyhoeddwyd: (2011) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
-
Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors. 1st ed. 2018
gan: Adhikary, Sourav, et al.
Cyhoeddwyd: (2020) -
Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells. 1st ed. 2018
gan: Leonard, Jason
Cyhoeddwyd: (2020)